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mal sehn ob das hier einer kennt : was ist MOS-FET ?
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17 Antworten
Metal-Oxid-Silicon-Feld-Effekt-Transistor...und nun? 
Beschreibung der Funktionsweise eines MOS- FET(Anreicherungstyp):
Der MOS-FET befindet sich immer im Sperr-Zustand(deshalb selbstsperrend), wenn keine positive Spannung zwischen Gate- und Source-Anschluß anliegt.
Wird zwischen Gate(Substrat) und Source eine positive Spannung UGS angelegt, dann entsteht im Substrat ein elektrisches Feld. Die Elektronen im p-leitenden Substrat(viele Löcher, sehr wenige Elektronen) werden vom positiven Gate-Anschluß angezogen. Sie wandern bis unter das Siliziumdioxid(Isolierschicht).
Die Löcher wandern in entgegengesetzter Richtung. Die Zone zwischen den n-leitenden Inseln enthält überwiegend Elektronen als freie Ladungsträger. Zwischen Source- und Drain-Anschluß befindet sich nun eine n- leitende Brücke
Die Leitfähigkeit dieser Brücke lässt sich durch die Gatespannung UGS steuern.
Die Vergrößerung der positiven Gatespannung führt zu einer Anreicherung der Brücke mit Elektronen. Die Brücke wird leitfähiger. Die Verringerung der positiven Gatespannung führt zu einer Verarmung der Brücke mit Elektronen. Die Brücke wird weniger leitfähig.
Dadurch das die Siliziumdioxid-Schicht isolierend zwischen Aluminium und Substrat wirkt, fließt kein Gatestrom IG. Zur Steuerung wird nur eine Gatespannung UGS benötigt.
Die Steuerung des Stromes ID durch den MOS-FET erfolgt leistungslos.
Verarmungsprinzip
Der oben beschriebene MOS-FET ist ein Anreicherungstyp. Er ist selbstsperrend. Es gibt
aber auch MOS-FETs als Verarmungstypen. Sie sind selbstleitend, weil sie schon nach angelegter Spannung UDS leitend sind. Das wird durch eine schwache n-Dotierung zwischen den n-leitenden Inseln(Source und Drain) erzeugt. Dieser MOS-FET sperrt nur vollständig, wenn die Gatespannung UGS negativer ist als die Spannung am Source-Anschluß.
Der selbstleitende MOS-FET wird duch eine negative, wie auch eine positive Gatespannung UGS gesteuert.
danke, daß haben wir jetzt alle verstanden ;-)
Moin,
das ist eine ander Bauweise von Transistoren.
Transistoren werden als Schalter und Verstaerker von elektrischen Signalen verwendet.
Als Schalter z.B. in so ziemlich jedem elektronischen Geraet, sei es ein Computer, Telefon oder eine Waschmaschine; zum Verstaerken werden sie in Vorverstaerkern, Edstufen und aehnlichem eingesetzt.
Die MOS-FETs sind kleiner, schalten schneller und entwickeln weniger Waerme als normale (wie heissen die herkoemmlichen eigentlich genau?) Transistoren.
Gruss, Maatin
PS: Bitte berichtigen, falls ich irgendwo falsch liege - das ist schon ein paar Jahre her, wo ich mich damit beschaeftigt habe 
Die herkoemmlichen sind PNP und NPN Transistoren.
Es entsteht bei Mos-fet kein Spannungsabfall um 0,7 oder 0,4 Volt wie bei den Standart Typen.
Er meinte doch er wollte wissen ob sich einer hir auskennt dann hab ich einfach mal die Funktion erklärt.
Wer solche ungenauer Fragen stellt kann von mir nur blöde Antworten erwarten.
MFG
aha dann ist das wohl bei einer Mosfet endstufe anders als beiu einer normalen endstufe
Es wird auch das Signal nicht so verfälscht wie bei normalen Transistoren.
Die neuen Endstufen habe alle Mos-Fet drinnen oder bessers.
das ist genau das was ich lesen wollte, Hankofer
aber die Gate Spannung muss doch immer um die -2 Volt betragen...
mir ist schon bekannt was Transistoren und MOS-FETs sind, wollte nur einmal eine ausführliche Erklährung...danke Hankofer
Jo es muß immer ein bestimmte Haltespannung verhanden sein. Das er nicht umschaltet.
nein, ich meine das die GateSpannung um 2 Volt negativer als die SouceSpannung sein muss.
Zitat:
Original geschrieben von Hankofer
Dieser MOS-FET sperrt nur vollständig, wenn die Gatespannung UGS negativer ist als die Spannung am Source-Anschluß.
achso dachte erst du meinst mit UGS Gate-Source-Spannung, dann ist alles klar!
Metal-Oxid-Silicon-Feld-Effekt-Transistor????
ich kenns nur unter metal-oxide-semiconductor-feldeffekt-transistor. steht auch so in meinen fachbüchern und sämtliche meister und lehrer nennen des ding auch so. was soll denn da dran silicon sein?
seitwann ist gate substrat? der substrat anschluss ist meist, wenn nicht schon vom hersteller gemacht wurde mir dem source anschluss verbunden.
Dieser Feldeffekttransistor besteht aus einem p-leitenden Kristall, dem Substrat. In das Substrat sind zwei n-leitende Inseln eindotiert. Der Kristall ist mit Siliziumdioxid(SiO2) abgedeckt(Isolierschicht). Die n-leitenden Inseln sind aber noch freigelegt und über Kontakte nach außen geführt(S und D). Auf dem Siliziumdioxid ist eine Aluminiumschicht(Al) als Gateelektrode aufgedampft.
Metal- Oxide-Semicondutor heist das teil schon